Comprar Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB11S65L MOSFET N-CH 650V 11A TO263

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Hojas de datos

AOB11S65L

MOSFET N-CH 650V 11A TO263

Número de pieza

AOB11S65L

Fabricante/Marca

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263 (D²Pak)

Disipación de energía (máx.)

198W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

399 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

646pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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