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AON2410
MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
6-DFN-EP (2x2)
Disipación de energía (máx.)
2.8W (Ta)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
813pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
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