La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
CDBJSC5650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Número de pieza
CDBJSC5650-G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-2 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220F
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
5A (DC)
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.7V @ 5A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
100µA @ 650V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
650V
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-55°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F
430pF @ 0V, 1MHz
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 43268 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deCDBJSC5650-G
CDBJSC5650-G Componentes electrónicos
CDBJSC5650-G Ventas
CDBJSC5650-G Proveedor
CDBJSC5650-G Distribuidor
CDBJSC5650-G Tabla de datos
CDBJSC5650-G Fotos
CDBJSC5650-G Precio
CDBJSC5650-G Oferta
CDBJSC5650-G El precio más bajo
CDBJSC5650-G Buscar
CDBJSC5650-G Adquisitivo
CDBJSC5650-G Chip