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DMN1019USN-7
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Número de pieza
DMN1019USN-7
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SC-59
Disipación de energía (máx.)
680mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
800mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50.6nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2426pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.2V, 2.5V
Vgs (máx.)
±8V
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