Comprar Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7 MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

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DMN30H4D0LFDE-7

MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Número de pieza

DMN30H4D0LFDE-7

Fabricante/Marca

Diodes Incorporated

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

U-DFN2020-6 (Type E)

Disipación de energía (máx.)

630mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

300V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

550mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.8V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7.6nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

187.3pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.7V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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