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EPC2012
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Número de pieza
EPC2012
Fabricante/Marca
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
145pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
+6V, -5V
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