La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
EPC2039ENGRT
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
Número de pieza
EPC2039ENGRT
Fabricante/Marca
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 40V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 48761 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deEPC2039ENGRT
EPC2039ENGRT Componentes electrónicos
EPC2039ENGRT Ventas
EPC2039ENGRT Proveedor
EPC2039ENGRT Distribuidor
EPC2039ENGRT Tabla de datos
EPC2039ENGRT Fotos
EPC2039ENGRT Precio
EPC2039ENGRT Oferta
EPC2039ENGRT El precio más bajo
EPC2039ENGRT Buscar
EPC2039ENGRT Adquisitivo
EPC2039ENGRT Chip