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TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
Número de pieza
EPC2106ENGRT
Fabricante/Marca
EPC
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.7A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 600µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
75pF @ 50V
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