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EPC2111

EPC2111

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Número de pieza
EPC2111
Fabricante/Marca
EPC
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Potencia - Máx.
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
16A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
230pF @ 15V, 590pF @ 15V
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