Comprar Global Power Technologies Group GP2M002A065PG MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

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GP2M002A065PG

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Número de pieza

GP2M002A065PG

Fabricante/Marca

Global Power Technologies Group

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Paquete de dispositivo del proveedor

I-PAK

Disipación de energía (máx.)

52W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.8A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.6 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

353pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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