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BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Número de pieza
BSZ15DC02KDHXTMA1
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Potencia - Máx.
2.5W
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TSDSON-8-FL
Tipo FET
N and P-Channel Complementary
Función FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.1A, 3.2A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.4V @ 110µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
419pF @ 10V
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