La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Número de pieza
IPD35N10S3L26ATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO252-3
Disipación de energía (máx.)
71W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
35A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 39µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 42496 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1 Componentes electrónicos
IPD35N10S3L26ATMA1 Ventas
IPD35N10S3L26ATMA1 Proveedor
IPD35N10S3L26ATMA1 Distribuidor
IPD35N10S3L26ATMA1 Tabla de datos
IPD35N10S3L26ATMA1 Fotos
IPD35N10S3L26ATMA1 Precio
IPD35N10S3L26ATMA1 Oferta
IPD35N10S3L26ATMA1 El precio más bajo
IPD35N10S3L26ATMA1 Buscar
IPD35N10S3L26ATMA1 Adquisitivo
IPD35N10S3L26ATMA1 Chip