Comprar Infineon Technologies IPI80P04P4L04AKSA1 MOSFET P-CH TO262-3

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IPI80P04P4L04AKSA1

MOSFET P-CH TO262-3

Número de pieza

IPI80P04P4L04AKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO262-3-1

Disipación de energía (máx.)

125W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

80A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

176nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+5V, -16V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 23527 PCS

Información del contacto