Comprar Infineon Technologies IRF6613TR1 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT

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Hojas de datos

IRF6613TR1

MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT

Número de pieza

IRF6613TR1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric MT

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET™ MT

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

23A (Ta), 150A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.25V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5950pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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