Comprar Infineon Technologies IRFI4229PBF MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP

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IRFI4229PBF

MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP

Número de pieza

IRFI4229PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

46W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

250V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

19A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4480pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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