La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFSL4410PBF
MOSFET N-CH 100V 88A TO-262
Número de pieza
IRFSL4410PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-262
Disipación de energía (máx.)
200W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
88A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5150pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 29324 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFSL4410PBF
IRFSL4410PBF Componentes electrónicos
IRFSL4410PBF Ventas
IRFSL4410PBF Proveedor
IRFSL4410PBF Distribuidor
IRFSL4410PBF Tabla de datos
IRFSL4410PBF Fotos
IRFSL4410PBF Precio
IRFSL4410PBF Oferta
IRFSL4410PBF El precio más bajo
IRFSL4410PBF Buscar
IRFSL4410PBF Adquisitivo
IRFSL4410PBF Chip