Comprar Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

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IRLHS6376TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

Número de pieza

IRLHS6376TR2PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-VDFN Exposed Pad

Potencia - Máx.

1.5W

Paquete de dispositivo del proveedor

6-PQFN (2x2)

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.6A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

63 mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.1V @ 10µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.8nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

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