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FMM110-015X2F
MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC
Número de pieza
FMM110-015X2F
Fabricante/Marca
Serie
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
i4-Pac™-5
Potencia - Máx.
180W
Paquete de dispositivo del proveedor
ISOPLUS i4-PAC™
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
53A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8600pF @ 25V
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