La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFH21N50

IXFH21N50

MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD
Número de pieza
IXFH21N50
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Disipación de energía (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
21A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 46607 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFH21N50
IXFH21N50 Componentes electrónicos
IXFH21N50 Ventas
IXFH21N50 Proveedor
IXFH21N50 Distribuidor
IXFH21N50 Tabla de datos
IXFH21N50 Fotos
IXFH21N50 Precio
IXFH21N50 Oferta
IXFH21N50 El precio más bajo
IXFH21N50 Buscar
IXFH21N50 Adquisitivo
IXFH21N50 Chip