La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFM35N30
POWER MOSFET TO-3
Número de pieza
IXFM35N30
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-204AE
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-204AE
Disipación de energía (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
300V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
35A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 54116 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFM35N30
IXFM35N30 Componentes electrónicos
IXFM35N30 Ventas
IXFM35N30 Proveedor
IXFM35N30 Distribuidor
IXFM35N30 Tabla de datos
IXFM35N30 Fotos
IXFM35N30 Precio
IXFM35N30 Oferta
IXFM35N30 El precio más bajo
IXFM35N30 Buscar
IXFM35N30 Adquisitivo
IXFM35N30 Chip