La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Número de pieza
IXFN80N50Q2
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-227B
Disipación de energía (máx.)
890W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
72A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 8mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
12800pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 54082 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXFN80N50Q2
IXFN80N50Q2 Componentes electrónicos
IXFN80N50Q2 Ventas
IXFN80N50Q2 Proveedor
IXFN80N50Q2 Distribuidor
IXFN80N50Q2 Tabla de datos
IXFN80N50Q2 Fotos
IXFN80N50Q2 Precio
IXFN80N50Q2 Oferta
IXFN80N50Q2 El precio más bajo
IXFN80N50Q2 Buscar
IXFN80N50Q2 Adquisitivo
IXFN80N50Q2 Chip