La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
Número de pieza
IXFT13N100
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-268
Disipación de energía (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 14430 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFT13N100
IXFT13N100 Componentes electrónicos
IXFT13N100 Ventas
IXFT13N100 Proveedor
IXFT13N100 Distribuidor
IXFT13N100 Tabla de datos
IXFT13N100 Fotos
IXFT13N100 Precio
IXFT13N100 Oferta
IXFT13N100 El precio más bajo
IXFT13N100 Buscar
IXFT13N100 Adquisitivo
IXFT13N100 Chip