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IXTA1N100P

MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Número de pieza

IXTA1N100P

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Polar™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263 (IXTA)

Disipación de energía (máx.)

50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

15 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

331pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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