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IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH
Número de pieza
IXTA3N100D2HV
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263HV
Disipación de energía (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Depletion Mode
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3A (Tj)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
37.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
0V
Vgs (máx.)
±20V
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