La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTH110N25T
MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
Número de pieza
IXTH110N25T
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247 (IXTH)
Disipación de energía (máx.)
694W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
250V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
110A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
157nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9400pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 45257 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTH110N25T
IXTH110N25T Componentes electrónicos
IXTH110N25T Ventas
IXTH110N25T Proveedor
IXTH110N25T Distribuidor
IXTH110N25T Tabla de datos
IXTH110N25T Fotos
IXTH110N25T Precio
IXTH110N25T Oferta
IXTH110N25T El precio más bajo
IXTH110N25T Buscar
IXTH110N25T Adquisitivo
IXTH110N25T Chip