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IXTH1N170DHV
MOSFET N-CH
Número de pieza
IXTH1N170DHV
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3 Variant
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247HV
Disipación de energía (máx.)
290W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Depletion Mode
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1700V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1A (Tj)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3090pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
0V
Vgs (máx.)
±20V
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