Comprar IXYS IXTH6N100D2 MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

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IXTH6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Número de pieza

IXTH6N100D2

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247 (IXTH)

Disipación de energía (máx.)

300W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Depletion Mode

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 3A, 0V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±20V

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