La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTP10N60P

IXTP10N60P

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Número de pieza
IXTP10N60P
Fabricante/Marca
Serie
Polar™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
200W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 31852 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXTP10N60P
IXTP10N60P Componentes electrónicos
IXTP10N60P Ventas
IXTP10N60P Proveedor
IXTP10N60P Distribuidor
IXTP10N60P Tabla de datos
IXTP10N60P Fotos
IXTP10N60P Precio
IXTP10N60P Oferta
IXTP10N60P El precio más bajo
IXTP10N60P Buscar
IXTP10N60P Adquisitivo
IXTP10N60P Chip