La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTP2N100

IXTP2N100

MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
Número de pieza
IXTP2N100
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
825pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 43923 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIXTP2N100
IXTP2N100 Componentes electrónicos
IXTP2N100 Ventas
IXTP2N100 Proveedor
IXTP2N100 Distribuidor
IXTP2N100 Tabla de datos
IXTP2N100 Fotos
IXTP2N100 Precio
IXTP2N100 Oferta
IXTP2N100 El precio más bajo
IXTP2N100 Buscar
IXTP2N100 Adquisitivo
IXTP2N100 Chip