La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTQ18N60P
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
Número de pieza
IXTQ18N60P
Fabricante/Marca
Serie
PolarHV™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-3P-3, SC-65-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-3P
Disipación de energía (máx.)
360W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 39536 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTQ18N60P
IXTQ18N60P Componentes electrónicos
IXTQ18N60P Ventas
IXTQ18N60P Proveedor
IXTQ18N60P Distribuidor
IXTQ18N60P Tabla de datos
IXTQ18N60P Fotos
IXTQ18N60P Precio
IXTQ18N60P Oferta
IXTQ18N60P El precio más bajo
IXTQ18N60P Buscar
IXTQ18N60P Adquisitivo
IXTQ18N60P Chip