Comprar Microsemi Corporation APTM100H46FT3G MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

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APTM100H46FT3G

MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Número de pieza

APTM100H46FT3G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP3

Potencia - Máx.

357W

Paquete de dispositivo del proveedor

SP3

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V (1kV)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

19A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

552 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 2.5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V

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