Comprar Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135 MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

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Hojas de datos

PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

Número de pieza

PHT6NQ10T,135

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-223

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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