Comprar Nexperia USA Inc. PMDPB58UPE,115 MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

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Hojas de datos

PMDPB58UPE,115

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6

Número de pieza

PMDPB58UPE,115

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UDFN Exposed Pad

Potencia - Máx.

515mW

Paquete de dispositivo del proveedor

DFN2020-6

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.6A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

950mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

804pF @ 10V

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