Comprar Nexperia USA Inc. PMV35EPER MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB

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Hojas de datos

PMV35EPER

MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB

Número de pieza

PMV35EPER

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236AB

Disipación de energía (máx.)

480mW (Ta), 1.2W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

19.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

793pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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