Comprar Nexperia USA Inc. PSMN1R0-25YLDX PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

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Hojas de datos

PSMN1R0-25YLDX

PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1

Número de pieza

PSMN1R0-25YLDX

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SC-100, SOT-669

Paquete de dispositivo del proveedor

LFPAK56, Power-SO8

Disipación de energía (máx.)

160W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Schottky Diode (Body)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

0.89 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

71.8nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5308pF @ 12V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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