Comprar NXP USA Inc. PMPB12UN,115 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

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Hojas de datos

PMPB12UN,115

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Número de pieza

PMPB12UN,115

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

6-UDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

6-DFN2020MD (2x2)

Disipación de energía (máx.)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

7.9A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

886pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 4.5V

Vgs (máx.)

±8V

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