Comprar NXP USA Inc. PMV185XN,215 MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

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PMV185XN,215

MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Número de pieza

PMV185XN,215

Fabricante/Marca

NXP USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-236AB (SOT23)

Disipación de energía (máx.)

325mW (Ta), 1.275W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1.1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

76pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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