Comprar ON Semiconductor 2SJ665-DL-1EX MOSFET P-CH 100V 27A TO263

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2SJ665-DL-1EX

MOSFET P-CH 100V 27A TO263

Número de pieza

2SJ665-DL-1EX

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TA)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263-2

Disipación de energía (máx.)

65W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

27A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

77 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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