ON Semiconductor
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FDMD86100
Hojas de datos

FDMD86100

MOSFET 2N-CH 100V
Número de pieza
FDMD86100
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Potencia - Máx.
2.2W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-Power 5x6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Source
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 50V
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