ON Semiconductor
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FDMD8680
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FDMD8680

MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Número de pieza
FDMD8680
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Potencia - Máx.
39W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PQFN (5x6)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
66A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5330pF @ 40V
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