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FDS5690-NBBM009A
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Número de pieza
FDS5690-NBBM009A
Fabricante/Marca
Serie
PowerTrench®
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1107pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
-
Vgs (máx.)
-
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