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NVATS5A112PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 27A ATPAK
Número de pieza
NVATS5A112PLZT4G
Estado de la pieza
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
ATPAK
Disipación de energía (máx.)
48W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
27A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
43 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.6V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
33.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 10V
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Palabras clave deNVATS5A112PLZT4G
NVATS5A112PLZT4G Componentes electrónicos
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