La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Número de pieza
NVD5865NLT4G
Fabricante/Marca
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Ta), 46A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Vgs (máx.)
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 12437 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deNVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G Componentes electrónicos
NVD5865NLT4G Ventas
NVD5865NLT4G Proveedor
NVD5865NLT4G Distribuidor
NVD5865NLT4G Tabla de datos
NVD5865NLT4G Fotos
NVD5865NLT4G Precio
NVD5865NLT4G Oferta
NVD5865NLT4G El precio más bajo
NVD5865NLT4G Buscar
NVD5865NLT4G Adquisitivo
NVD5865NLT4G Chip