ON Semiconductor
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NVMFD5873NLT1G
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NVMFD5873NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Número de pieza
NVMFD5873NLT1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Potencia - Máx.
3.1W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
30.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
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