Comprar Renesas Electronics America RJK03M5DNS-00#J5 MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

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Hojas de datos

RJK03M5DNS-00#J5

MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

Número de pieza

RJK03M5DNS-00#J5

Fabricante/Marca

Renesas Electronics America

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerWDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-HWSON (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

15W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

25A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 12.5A, 10V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1890pF @ 10V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

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