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EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
Número de pieza
EM6K6T2R
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Potencia - Máx.
150mW
Paquete de dispositivo del proveedor
EMT6
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
300mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 300mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
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