La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
STW56N65M2-4
MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
Número de pieza
STW56N65M2-4
Fabricante/Marca
Serie
MDmesh™ M2
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-4
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-4L
Disipación de energía (máx.)
358W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
49A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
62 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 49769 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSTW56N65M2-4
STW56N65M2-4 Componentes electrónicos
STW56N65M2-4 Ventas
STW56N65M2-4 Proveedor
STW56N65M2-4 Distribuidor
STW56N65M2-4 Tabla de datos
STW56N65M2-4 Fotos
STW56N65M2-4 Precio
STW56N65M2-4 Oferta
STW56N65M2-4 El precio más bajo
STW56N65M2-4 Buscar
STW56N65M2-4 Adquisitivo
STW56N65M2-4 Chip