Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM130NB06CR 60V 51A 13MO N-CHANNEL POWER MOS

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Hojas de datos

TSM130NB06CR

60V 51A 13MO N-CHANNEL POWER MOS

Número de pieza

TSM130NB06CR

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PDFN (5x6)

Disipación de energía (máx.)

3.1W (Ta), 83W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Ta), 51A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2380pF @ 30V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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