Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM180P03CS RLG MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP

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Hojas de datos

TSM180P03CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP

Número de pieza

TSM180P03CS RLG

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SOP

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1730pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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