Comprar Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI 650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

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TSM4ND65CI

650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M

Número de pieza

TSM4ND65CI

Fabricante/Marca

Taiwan Semiconductor Corporation

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Paquete de dispositivo del proveedor

ITO-220

Disipación de energía (máx.)

41.6W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.6 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.8V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

596pF @ 50V

Vgs (máx.)

±30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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